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MOS-FET


Der MOS-FET (Metall Oxyd Semiconductor Field-Effect Transistor) enthält im Innern eine isolierende Oxidschicht zwischen Gate und dem Source-Drain-Kanal. So kann man den Gatestrom fast völlig verhindern.



Eigenschaften und Verwendung

Die Anreicherungs-Typen steuern durch, sobald am Gate eine Spannung anliegt. Sie sind selbstsperrend d. h. bei einer Gatespannung von Null fließt kein Drainstrom. Daher enthalten sie im Schaltsymbol eine gestrichelte Linie. Das linke Symbol ist jeweils das alte, das rechte das neue.

mosfetn_sperr.gif mosfetn2_sperr.gif N-Kanal = Gate wird mit negativer Spannung angesteuert.
mosfetp_sperr.gif mosfetp2_sperr.gif P-Kanal = Gate wird mit positiver Spannung angesteuert.

Die Verarmungstypen sperren dagegen, wenn am Gate eine Spannung anliegt. Sie sind selbstleitend d. h. bei einer Gatespannung von Null fließt bereits ein Drainstrom. Sie enthalten im Schaltsymbol eine geschlossene Linie. Das linke Symbol ist jeweils das alte, das rechte das neue.

mosfetn_leit.gif mosfetn2_leit.gif N-Kanal = Gate wird mit negativer Spannung angesteuert.
mosfetp_leit.gif mosfetp2_leit.gif P-Kanal = Gate wird mit positiver Spannung angesteuert.

MOS-FET's können sehr hohe Ströme schalten von 100 Ampere und darüber. Man findet sie oft bei Schaltanwendungen im Leistungsbereich sowie in HiFi- und Auto-Endstufen.

MOS-FET's sind allerdings empfindlich gegen elektrostatische Aufladungen am Gateanschluß. Diese können rasch die hauchdünne Oxidschicht im Innern durchschlagen und so den MOS-FET zerstören. Zur Aufbewahrung empfehlen sich daher spezielle leitende Schaumstoffe.


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